1. Galutinis ėsdinimo kameros vakuuminis laipsnis: mažesnis arba lygus 9.0×10-5Pa;
2. Odinimo medžiagos: silicis, kvarcas, III.-V junginiai, keramika ir įvairūs metalai, nemetalinės kietos plėvelės ir kt.;
3. ėsdinimo greitis: didesnis arba lygus 10 nm ~ 200 nm/min (priklausomai nuo konkrečios ėsdinimo medžiagos ir proceso);
4. Jonų šaltinis: Φ150 mm skersmens apskritas nuolatinės srovės jonų šaltinis;
5. Ar+ jonų energijos diapazonas: 100~1000 eV;
6. Jonų pluošto tankis: 0~1 mA/cm2.